贵阳嘉瑜光电科技咨询中心 main business:对光电高科技企业及高科技投资公司提供投资咨询及管理服务。销售与光电高科技有关的产品。 and other products. Company respected "practical, hard work, responsibility" spirit of enterprise, and to integrity, win-win, creating business ideas, to create a good business environment, with a new management model, perfect technology, attentive service, excellent quality of basic survival, we always adhere to customer first intentions to serve customers, persist in using their services to impress clients.
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- 520100400132495
- 存续
- 普通合伙企业
- 2011年7月26日
- 季泳
- 50 万人民币元
- 2011年7月26日 至 2021年7月25日
- 贵阳市工商局
- 2011年7月26日
- 贵州省贵阳市高新开发区金阳知识产业园253室
- 对光电高科技企业及高科技投资公司提供投资咨询及管理服务。销售与光电高科技有关的产品。
| 序号 | 公布号 | 发明名称 | 公布日期 | 摘要 |
| 1 | CN103777833B | 一种提高电容触摸屏灵敏度的方法 | 2017.01.04 | 本发明公开了一种提高电容触摸屏灵敏度的方法，所述电容触摸屏包括表面电容触摸屏和投射电容触摸屏，采用透 |
| 2 | CN103292740B | 一种三维扫描仪测量方法及其装置 | 2016.04.13 | 本发明公开了一种三维扫描仪测量方法及其装置，所述测量方法是利用干涉条纹所形成的虚拟正弦光栅或者空间调 |
| 3 | CN205062236U | 一种新型晶体炉热场 | 2016.03.02 | 本实用新型公开了一种新型晶体炉热场，包括笼式加热器，所述笼式加热器的上部圆周方向上设有多个电极，所述 |
| 4 | CN205062235U | 一种用于热交换法生长大尺寸蓝宝石的双层坩埚 | 2016.03.02 | 本实用新型公开了一种用于热交换法生长大尺寸蓝宝石的双层坩埚，其包括外坩埚和内坩埚，所述内坩埚设置在所 |
| 5 | CN103173855B | 一种惰性气体保护下的HEM晶体生长方法 | 2016.01.06 | 本发明公开了一种惰性气体保护下的HEM晶体生长方法，它包含以下步骤：（1）、将晶体放入晶体生长炉内； |
| 6 | CN204779933U | 一种新型高温氧化物晶体生长设备 | 2015.11.18 | 本实用新型提供了一种新型高温氧化物晶体生长设备，包括上保温层、坩埚、加热器、侧保温桶、下保温层、炉盖 |
| 7 | CN103175617B | 一种用于人工晶体生长的高温三维温场测量系统 | 2015.09.02 | 本发明公开了一种用于人工晶体生长的高温三维温场测量系统，包括辐射遮挡板及依次相连的望远单元、共焦单元 |
| 8 | CN103707578B | 一种蓝宝石-玻璃层压片的制备方法 | 2015.08.05 | 本发明公开了一种蓝宝石-玻璃层压片的制备方法，它包含以下步骤：（1）、在蓝宝石材料表面注入He<su |
| 9 | CN103276443B | 一种快速制备晶体外延薄膜的装置和方法 | 2015.08.05 | 本发明公开了一种快速制备晶体外延薄膜的装置和方法，它包括真空室、抽真空系统、反应磁控溅射外延装置以及 |
| 10 | CN103171059B | 一种用于蓝宝石加工晶向实时测量的夹具及其测量方法 | 2015.02.25 | 本发明公开了一种用于蓝宝石加工晶向实时测量的夹具及其测量方法，它包括以下步骤：（1）、将定向仪安装在 |
| 11 | CN103204483B | 晶体生长中的高纯HE的回收纯化和重复使用装置及方法 | 2014.11.05 | 本发明公开了晶体生长中的高纯HE的回收纯化和重复使用装置及方法，它包括气体增压泵、第一气体储罐、油气 |
| 12 | CN203746029U | 一种蓝宝石手机触摸屏 | 2014.07.30 | 本实用新型公开了一种蓝宝石手机触摸屏，包括玻璃基板，还包括设置在玻璃基板外侧的蓝宝石工作面板，玻璃基 |
| 13 | CN103777833A | 一种提高电容触摸屏灵敏度的方法 | 2014.05.07 | 本发明公开了一种提高电容触摸屏灵敏度的方法，所述电容触摸屏包括表面电容触摸屏和投射电容触摸屏，采用透 |
| 14 | CN103707578A | 一种蓝宝石-玻璃层压片的制备方法 | 2014.04.09 | 本发明公开了一种蓝宝石-玻璃层压片的制备方法，它包含以下步骤：（1）在蓝宝石材料表面注入He+离子层 |
| 15 | CN103677425A | 一种蓝宝石手机触摸屏 | 2014.03.26 | 本发明公开了一种蓝宝石手机触摸屏，包括玻璃基板，还包括设置在玻璃基板外侧的蓝宝石工作面板，玻璃基板表 |
| 16 | CN203323714U | 一种三维扫描仪测量装置 | 2013.12.04 | 本实用新型公开了一种三维扫描仪测量装置，包括置于参考平面R同一侧的投影系统、摄像系统及计算机，所述投 |
| 17 | CN103292740A | 一种三维扫描仪测量方法及其装置 | 2013.09.11 | 本发明公开了一种三维扫描仪测量方法及其装置，所述测量方法是利用干涉条纹所形成的虚拟正弦光栅或者空间调 |
| 18 | CN203177970U | 一种用于人工晶体生长的高温三维温场测量系统 | 2013.09.04 | 本实用新型公开了一种用于人工晶体生长的高温三维温场测量系统，包括辐射遮挡板及依次相连的望远单元、共焦 |
| 19 | CN203174221U | 一种快速制备晶体外延薄膜的装置 | 2013.09.04 | 本实用新型公开了一种快速制备晶体外延薄膜的装置，它包括真空室、抽真空系统、反应磁控溅射外延装置以及旋 |
| 20 | CN103276443A | 一种快速制备晶体外延薄膜的装置和方法 | 2013.09.04 | 本发明公开了一种快速制备晶体外延薄膜的装置和方法，它包括真空室、抽真空系统、反应磁控溅射外延装置以及 |
| 21 | CN103266294A | 一种在HEM晶体生长中重复使用钼坩埚的方法 | 2013.08.28 | 本发明公开了一种在HEM晶体生长中重复使用钼坩埚的方法，它包含以下步骤：（1）利用喷砂机对钼坩埚进行 |
| 22 | CN103204483A | 晶体生长中的高纯HE的回收纯化和重复使用装置及方法 | 2013.07.17 | 本发明公开了晶体生长中的高纯HE的回收纯化和重复使用装置及方法，它包括气体增压泵、第一气体储罐、油气 |
| 23 | CN103175617A | 一种用于人工晶体生长的高温三维温场测量系统 | 2013.06.26 | 本发明公开了一种用于人工晶体生长的高温三维温场测量系统，包括辐射遮挡板及依次相连的望远单元、共焦单元 |
| 24 | CN103171059A | 一种用于蓝宝石加工晶向实时测量的夹具及其测量方法 | 2013.06.26 | 本发明公开了一种用于蓝宝石加工晶向实时测量的夹具及其测量方法，它包括以下步骤：（1）、将定向仪安装在 |
| 25 | CN103173855A | 一种惰性气体保护下的HEM晶体生长方法 | 2013.06.26 | 本发明公开了一种惰性气体保护下的HEM晶体生长方法，它包含以下步骤：（1）将晶体放入晶体生长炉内；（ |
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